전문 용어 정보 본문 GaN HEMT GaN (질화 갈륨)이란, 차세대 파워 디바이스에 사용되는 화합물 반도체 재료. 일반적인 반도체 재료인 실리콘에 비해 물성이 우수하여, 고주파 특성을 활용한 채용이 시작되고 있다. HEMT란, High Electron Mobility Transistor (고전자 이동도 트랜지스터)의 약칭이다. 목록 이전글게이트 - 소스 정격전압 (게이트 내압) 21.04.09 다음글부트스트랩 21.04.09